氧本征吸除硅晶片的研究

氧本征吸除硅晶片的DLTS研究*DLTSStudyO{t卜eOxygen t—GE"ect onSiWa{er叶亮章宏欢毛尔望叶秋怡房国平 t山幽社牛坑上海冶金研工尸)**[提要]本文通过DLT5深佬谱和／—y反向持性的测试，研究了经氧本征吸陈处理的晶片(1—G晶十)和一旺抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研究结果表明，)—G工艺的本赁是一个温度变化的热处理过程，在产生吸录作用的同寸对晶格结构也产生热损伤影响，并引入深能级陷阱中心。Abst：rac{：：The difference between oxygen intrinsic gettermg wafer and commonly poii上一篇：日本炭素学会第十四届年会论文目录年月日
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